Označení napětí

Označování napětí na svorkách pro napájení malých elektrických zařízení.

Označení napětí, které se vyskytují ve schématech zapojení a katalogových listech, a která lze vytvořit pomocí programů EDA, jsou například následující:

  • Kladné napětí: UDD, VDD, UCC, VCC
  • Záporné napětí: UEE, VEE
  • Referenční potenciál (0V): USS, VSS

V češtině a němčině se pro elektrické napětí používá písmeno U (z latinského urgere), v anglosaském jazykovém prostoru se pro napětí používá písmeno V, které je zkratkou anglického voltage. Protože mnoho velkých výrobců polovodičů a elektronických zařízení pochází nebo pocházelo z USA, lze se s použitím V pro napětí setkat i v jiných než anglicky psaných materiálech. Indexy za písmenem V nebo U (obvykle dolní nebo psané malými písmeny) D, S, C, a E často vycházejí ze jména elektrody tranzistoru, například Drain a Source (MOSFET) a Collector, Emitor (bipolární tranzistor). Dvojité indexy jako CC nebo DD obvykle označují napájecí napětí vůči nulovému potenciálu (zemi).

Specifická označení

Zdvojené indexy obvykle znamenají, že se nejedná o napětí na určité elektrodě jedné součástky, ale vyjadřují množné číslo; tak VCC bylo původně napětí na kolektorech několika součástek. Například VCC bylo původně napětí na kolektorech několika součástek. Absolutní rozdíly mezi těmito označeními napětí, například mezi VCC a VDD, se od současného používání různých provedení logických obvodů (např. TTL logiky a CMOS logiky) staly nejasnými.

Často používaná označení:

  • VB – napětí báze
  • VBB – napětí připojené na substrát tranzistorů MOSFET, který je také nazýván bulk, obvykle −5 V, ne napětí na bázích několika tranzistorů!
  • VBATnapětí baterie
  • VBE – napětí mezi bází a emitorem bipolárního tranzistoru
  • VC – je napětí na kolektoru bipolárního tranzistoru
  • VCC – napětí na kolektorech, u bipolárních obvodů kladné napájecího napětí
  • VCE – napětí mezi kolektorem a emitorem bipolárního tranzistoru
  • VCEsat – napětí mezi C a E ve stavu nasycení tranzistoru
  • VCM – emitorové napětí od integroval spínací obvody při asymetrickým napájecí napětí
  • Vcore – napájecí napětí pro „důležité“ integrované obvody jako CPU nebo GPU
  • VD – napětí na elektrodě Drain polem řízených tranzistorů (FET)
  • VDS – napětí mezi elektrodami Drain a Source u polem řízených tranzistorů (FET)
  • VDD – kladné napájecí napětí spínacích obvodů MOS (místo, kam je připojeno mnoho elektrod Drain v obvodech NMOS)
  • VDDQ – napájecí napětí pro výstupní buffer paměťové obvody
  • VE – napětí na emitoru
  • VEE – napětí na emitorech, záporné napájecí napětí např. v obvodech ECL
  • VG – napětí na elektrodě Gate
  • VGS – napětí mezi elektrodami Gate a Source u polem řízených tranzistorů
  • VIN – vstupní napětí
  • VMEM – napájecí napětí paměťového modulu, může být někdy také označeno:
    • VDDR, VDIMM nebo podobně
  • VOUT – výstupní napětí
  • VPP – rozdíl napětí mezi kladným a záporným špičkovým napětím (Peak to Peak), také však programovací napětí pamětí (E)EPROM a mikrořadičů
  • VREF – referenční napětí
  • VRMSefektivní hodnota napětí (root mean square)
  • VS – napětí na elektrodě Source polem řízených tranzistorů (FET)
  • VSS – záporné napájecí napětí spínacích obvodů MOS, často identické s GND (viz níže)
  • VTT – zakončovací odpory linky (terminátory)

Obecná označení

Kromě toho označované pro kladné a záporné napájecí napětí, jako např.:

  • V+ – kladné napájecí napětí (neříká nic o úrovni napětí!)
  • V++ – kladné napájecí napětí (neříká nic o úrovni napětí!)
  • V – záporné napájecí napětí
  • V−− – záporné napájecí napětí
  • GND – 0 V, nulový potenciál, Zem, zkratka anglického „Ground“. Není-li řečeno jinak, napětí se měří proti tomuto potenciálu. Napěťový potenciál kladných napětí je vyšším než GND, záporná napětími mají napěťový potenciál nižší než GND. Hovorově se GND často nesprávně nazývá záporný pól napájecího napětí. Proud (kladný nebo záporný) teče přes vodič GND zpět do zdroje napětí.
  • CGND – „kostra přístroje“ – propojeno s pouzdrem přístroje
  • SGND – „signálová zem“ – často použité pro zápornou úroveň napětí v analogové části obvodů, např. audio
  • DGND – „digitální zem“ – ve spojení s digitálními stavebními komponenty s analogovým vstupem
  • AGND – „analogová zem“ – analogové signály v digitálních blocích mají často samostatnou zem

Tato označení nejsou závazná nebo stanovená technickými normami, proto je třeba postupovat s velkou opatrností a pamatovat, že v různých přístrojích nebo schématech mohou mít odlišný význam. Při přiřazování označení v návrhu schématu obvodu zavádět nová nebo dodatečná označení, pokud je příslušné napájecí napětí skutečně fyzicky odděleno od ostatních napětí v obvodu (například pomocí tlumivky), a pokud je použito na více elektrodách různých součástek.

Odkazy

Reference

V tomto článku byl použit překlad textu z článku Spannungsbezeichnung na německé Wikipedii.